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已广泛用于信号处理、通信和雷达等领域。TI公司的带EMIF扩展存储器接口的浮点DSPTMS320C672x系列是专为高速、高性能应用而开发的,主要应用于高速宽带、图像处理和高速铁路轨道信号处理等领域。DSP应用平台设计中,外部存储器接口(EMIF)是为DSP与外部设备之间提供连接。EMIF和外部器件SDRAM以及Flash的合理设计关系到系统的数据存储和程序加载。
TMS320C672x系列浮点DSP的EMIF性能优良,增强了与外部1、2或4区的16位或32位SDRAM和异步器件连接的方便性和灵活性。TMS320C6722和TMS320C6726 EMIF宽度为16位,支持的SDRAM可达128 Mb;TMS320C6727EMIF宽度为32位,支持高达256Mb和512Mb的SDRAM。
异步存储器接口是从并行的8位、16位或32位NOR Flash实现系统自启动。若使用大容量的Flash,EMIF连接Flash的高位地址线可通过外部器件CPLD或自身GPIO口扩展。
1 EMIF接口
EMIF接口具有很强的外设连接能力,可寻址空间一般比较大,数据吞吐较快。EMW接口支持的器件包括同步突发静态RAM(SBSRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、各种异步设备(SRAM、ROM和FIFO)以及同步FIFO。TMS320C672x的EMIF引脚结构如图1所示。
其主要引脚功能如下:
EM_A[x:0]:EMIF地址总线。当与SDRAM器件连接时,地址总线主要为SDRAM提供行地址和列地址。当与异步器件连接时,这些引脚与EM_BA引脚提供器件地址。
EM_BA[1:0]:EMIF存储区地址线。与SDRAM连接时,为SDRAM提供存储区地址。与异步器件连接时,这些引脚与EM_A引脚共同提供器件地址。
EM_WE_DQM[x:0]:低电平有效写触发或字节使能引脚。与SDRAM连接时,这些引脚与SDRAM的DQM引脚连接。在数据访问中分别使能/禁止每一字节。与异步器件连接时,这些引脚可作为字节使能(DQM)或字节写触发(WE)。
EM_CS[0]和[2]:CS[0]为SDRAM器件低电平有效芯片使能引脚,当访问异步器件时此引脚失效,在完成异步存取后自动恢复其功能;CS[2]为低电平有效异步器件使能引脚,仅在访问异步存储器时有效。
EM_RAS:低电平有效行地址选通引脚,与SDRAM的RAS引脚连接,用于向此器件发送命令。
EM_CAS:低电平有效列地址选通引脚,与SDRAM的CAS引脚连接,用于向此器件发送命令。
EM_CKE:时钟使能引脚,与SDRAM的CKE连接,发出自刷新命令,使器件进入自刷新模式。
EM_CLK:SDRAM时钟引脚,EMIF时钟来自DSP的PLL控制器的SYSCLK3时钟模块。
2 EMIF与SDRAM的设计
这里以SDRAM(HY57V281620A)为例,说明EMIF和SDRAM的接口与配置,HY57V281620A是4 Bankx2MBx16 bit的SDRAM器件,可与TMS320C67 22 DSP无缝连接。图2是TMS320C6722型DSP与HY57V281620A型SDRAM的电路连接。
TMS320C672x系列浮点DSP的EMIF性能优良,增强了与外部1、2或4区的16位或32位SDRAM和异步器件连接的方便性和灵活性。TMS320C6722和TMS320C6726 EMIF宽度为16位,支持的SDRAM可达128 Mb;TMS320C6727EMIF宽度为32位,支持高达256Mb和512Mb的SDRAM。
异步存储器接口是从并行的8位、16位或32位NOR Flash实现系统自启动。若使用大容量的Flash,EMIF连接Flash的高位地址线可通过外部器件CPLD或自身GPIO口扩展。
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EMIF接口具有很强的外设连接能力,可寻址空间一般比较大,数据吞吐较快。EMW接口支持的器件包括同步突发静态RAM(SBSRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、各种异步设备(SRAM、ROM和FIFO)以及同步FIFO。TMS320C672x的EMIF引脚结构如图1所示。
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EM_WE_DQM[x:0]:低电平有效写触发或字节使能引脚。与SDRAM连接时,这些引脚与SDRAM的DQM引脚连接。在数据访问中分别使能/禁止每一字节。与异步器件连接时,这些引脚可作为字节使能(DQM)或字节写触发(WE)。
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EM_RAS:低电平有效行地址选通引脚,与SDRAM的RAS引脚连接,用于向此器件发送命令。
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