E2PROM存储器存储单元的损坏主要是由频繁的写操作造成的。若要解决问题,首先耍避免对同一单元进行频繁的擦写,降低存储单元损坏的可能;其次当某些单元损坏时,读写控制器应该能够跳过这些损坏的单元,保证系统能继续正常工作。本文设计的E2PROM控制器具有这两个方面的功能。
2020-07-22 17:32:521065 就基本的 SSD 存储单元而言,有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中,TLC 是最受欢迎的,不过,QLC 最终将取代它们。在 I/O 方面,有 SATA 和 NVMe。
2022-08-26 16:41:353275 在芯片设计时,通常需要用到各种类型的存储单元,用以临时或者永久地存储数据。根据应用场合的不同,所用到的存储单元也不同。本文对常见的几个存储单元进行了介绍,并简述了其工作原理和特点。需要特别
2022-12-02 17:36:241953 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:11 编辑
24C02串行E2PROM的读写
2012-08-10 14:07:14
I2C 总线上,PCF8591 可以直接在1602上显示, 数据变化正常,但是PCF8591接入E2PROM后,读取出来的数据一直都是0XFF,哪位大神帮忙看看什么原因?#include
2018-01-06 17:24:24
存储位元与存储单元是什么含义?数据通信的方式可以分为哪几种呢?
2022-01-21 07:17:58
仅作为学习记录,大佬请跳过。这些东西都是存储器关键词:RAM和ROM两大类ROM——PROM、EPROM、E2PROM、FLASH1、RAM、ROM对电脑来说,RAM是内存,ROM是硬盘2、PROM
2021-12-10 06:46:06
设存储器读/写周期为 0.5us, CPU在1us内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理? 两次刷新的最大时间间隔是多少? 对全部存储单元刷新遍所需的实际刷新时间是多少?
2021-10-26 07:05:19
AT24C02串行E2PROM的工作原理与读写
2012-07-31 21:47:47
0A0H,10H,01H,02H,03H,04H,05H,06HEND[size=+1] 读写子程序如下:[size=+1];写串行E2PROM子程序EEPW; R3=10100000(命令1010+器件
2020-07-14 18:17:19
相关寄存器 :EEDR数据寄存器(用来存储要发送的或者是接受的数据)。地址寄存器EEAR:E2Prom的内部地址。EECR:控制寄存器。位0,读使能位。位1写使能位。位2主写使能位。位3中断就绪
2013-05-13 22:55:34
板上接了一块 FT24C32A 的E2PROM, 挂在在 I2C2, SCL-->PB10, SDA-->PB11, 写数据地址是16位,2字节同样的代码在F4上读写正常
2022-09-14 10:11:34
。FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。2.1 FRAM存储单元结构FRAM
2014-04-25 13:46:28
各位大神帮帮忙,,,下面是E2PROM单字节读写操作,主要想问下C语言相关知识,单个字节是如何转十进制字符串格式的(就是main函数里面加问好注释的那里)?例程看不懂,网上搜索了也是一知半解,谁能
2017-08-01 22:54:55
1.(判断题)DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1。(4分) A.正确B.错误 FLASH可保存 上电后不知道是啥2.(判断题)眼图可以用来分析高速信号的码间
2021-07-22 08:57:49
判断题:DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1
2017-08-23 09:29:31
; 页写入方式:单片机在一个数据写周期内可以访问1页E2PROM存储单元。页写入帧格式下图所示:三、读/写操作应用 &
2008-08-13 17:54:16
方式边界对齐的数据存放方法主存的基本结构和工作过程存储系统的层次结构半导体存储器静态MOS存储器 SRAM静态MOS存储单元静态MOS存储器的结构动态MOS存储器 DRAM四管动态MOS存储元的工作原理
2021-07-28 07:59:20
Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构Nand flash的内部组织结构,此处还是用图来解释,比较容易理解:图2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
请教Arm专家大侠: SOC内SRAM各存储单元, 其“每次上电冷启动后、还未写入应用数据前的初始状态数据”是否是由其硬件电路保证总是一样的(全0或全1)?不会随机变化(有时为0有时为1)? 能否从硬件原理角度简单说明下? 谢谢。
2022-08-19 15:37:40
SRAM+E2PROM存储卡。RAM容量:64KB。E2PROM容量:64KB。输入输出点数:4096点。输入输出元件数:8192点。程序容量:1000 k步QD64D2用户手册。处理速度
2021-09-01 07:02:40
,其实芯片内部本身也附带了一个(模拟的)存储器,官方说是 E2PROM\mathrm{E^2PROM}E2PROM ,然而其实是用 Flash 模拟的,这就导致它的一些特性与普通 E2PROM\mathr...
2022-02-18 06:03:29
接触arm不久现在不知道该如何下手,具体的设计步骤是什么,需要进行哪些配置?目前选用Atmel的AT25512串行SPI EEPROM连接到ARM的SPI0接口,暂时只要实现对E2PROM的简单读写就好,希望有好朋友赐教。
2016-05-13 11:34:24
niosii编译提示on-chip menmory 存储单元不够,怎么解决?
2015-01-18 09:31:43
串行E2PROM读写软件工具一个27k的小程序24cxx.exe,这款程序不大,功能却不逊色于某些大型软件,搽读写校样样都能,最大的优点就是速度奇快,完全可以作为量写的工具,界面也很简单,稍加熟悉
2009-05-26 10:09:27
主存中存储单元地址是如何进行分配的?存储芯片的容量有多大?
2021-10-19 08:25:52
4.2.1.主存中存储单元地址的分配:存储字长:存储器中一个存储单元(存储地址)所存储的二进制代码的位数,即存储器中的MDR的位数。字(word) : 若干个字节组成一一个”字” ( word)。一
2021-07-28 06:43:06
硬件连接这里连接的MCU引脚是IIC-SCL——Pb8IIC_SDA——PB9打算实现的效果从24C64的E2PROM中的一个地址中写入一个字节,在串口上面打印出来刚刚写入的那个字节;然后再从E2中
2022-01-11 06:27:03
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、静态存储器 SRAM——Static RAM(动态存储器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字节寻
2022-01-26 07:30:11
本帖最后由 elecfans电子发烧友 于 2018-1-2 21:02 编辑
自己动手搭建电路可以发现许多有趣的东西。今天为大家带来的是“静态存储单元”及其“写控制电路”的搭建。 “静态
2017-01-08 12:11:06
基于Keil C的AT24C02串行E2PROM的编程AT24C02是美国Atmel公司的低功耗CMOS型E2PROM,内含256×8位存储空间,具有工作电压宽(2.5~5.5
2009-08-18 17:13:25
大家好,有人能告诉我,如果我可以使用内部闪存像内部E2PROM?谢谢你,Doralice
2020-05-15 12:28:22
E2PROM。但我不知道该怎么做?我已经研究了相关文件到E2PROM,AN2015。它使用一个数组来存储写入E2PROM的数据。然而,当要写入大量数据时,这是不实际的。有没有人知道其他方法将校准数据下载
2018-12-03 11:43:14
你好如何在不使用DDR内存控制器的情况下设计FPGA BRAM(或任何其他内存模块_SD,DDR以外的本地等)大容量存储单元?当我通过示例设计“VC707_bist”替换DRAM控制器和BRAM
2019-04-04 15:10:55
怎么把单片机存储单元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
本人菜鸟一枚,最近思考一个问题。带有E2PROM的设备连接在电脑上,做怎样的设计才能使E2PROM中存贮的数据不会被篡改呢。我感觉连接在电脑上好不安全0.0。有大神能指导一下吗
2016-08-01 16:44:01
关于MCU的存储方面,以前基本上用内置的E2PROM,或者是外置的NOR?Flash?就可以了。但随着物联网的兴起,MCU的应用越来越广泛了,逐渐的MCU会涉及到大容量的存储需求,用来存储音频,图片
2019-10-10 16:55:02
读出解码或者向E2PROM中写入新的编码。下面介绍工作过程。首先解码器读出内部E2PRoM中00h~04h中的5个十进制数据,分别保存到5个内部数据存储单元中。然后调用接收数据子程序,接收1个数据,并先
2011-08-19 09:57:50
通过串口向 PC 机发送电压值,通过串口接收系统配置参数并保存到 E2PROM 中。设备硬件部分主要由电源部分、控制器单元、串口部分、存储单元组成,系统框图如图 1 所示 :设计任务及要求1...
2021-12-21 06:16:09
有什么方法可以延长E2PROM芯片的寿命?又如何去实现它呢?
2021-04-08 06:57:25
一般单片机都有内部E2PROM,可以保存运行中数据,掉电数据不消失,STM32有类似这样的东西吗?
2020-04-08 02:25:38
请问在F28M35中,是否在FLASH中存在一个区域被划为E2PROM,请问该如何使用这片区域,有多大,谢谢
2018-11-08 09:54:59
我能在ISR中使用E2PROM吗??我得到了错误…
2019-10-10 10:46:34
针对基于SRAM工艺的器件的下载配置问题,本文介绍采用AT89S2051单片机配合串行E2PROM存储器,实现CPLD/FPGA器件的被动串行(PS)模式的下载配置。
2021-04-13 06:25:40
现象:单片机采用硬件I2C读取E2PROM,当单片机复位时,会有概率出现再无法与E2PROM通信,此时SCL为高,SDA一直为低。原因:当单片机正在和E2PROM通信,如果主正好发生打算发第9个时钟
2017-08-29 20:17:26
一款实用的串行E2PROM读写软件
2006-04-26 16:53:13101 内置Reset WDT 电路的串行E2PROM一概述CSI24Cxxx 是集E2PROM 存储器, 精确复位控制器和看门狗定时器三种流行功能于一体的芯片CSI24C161/162 16K CSI24C081/082 8K CSI24C041/042 4K 和CSI24C021/022
2008-07-20 18:14:3535 CAT24Cxxx是集E2PROM存储器, 精确复位控制器和看门狗定时器三种流行功能于一体的芯片。CAT24C161/162(16K),CAT24C081/082(8K),CAT24C041/042(4K)和CAT24C021/022(2K) 主要作为I2C 串行CMOS E2PR
2009-11-18 11:22:0353 E2PROM 是较常用的存储器件。但在特殊的场合,其可靠性或其使用寿命对系统的正常运行有很大影响。为此介绍了I2C 总线及E2PROM 的工作原理,提出了一种具有较高可靠性的E2PROM 控制
2010-01-13 15:14:5315 对第一代开关电流存储单元产生的时钟馈通误差做了合理的近似分析,设计了一种高性能开关电流存储单元。该电路仅在原存储单元的基础上增加了一个MOS管,使误差降为原来的4%,
2010-07-05 14:50:4822 设计了一板载同步串行E2PROM编程设备。计算机、应用软件和物理硬件构成系统体系结构,计算机与物理硬件之间采用USB总线互连,即插即用非常方便。重点介绍了物理硬件结构、客
2010-07-30 17:59:3337 低电压甲乙类开关电流存储单元
引言 开关电流存储单元是电流模式采样数据信号处理系统的基本单元电路,其性能的优
2007-08-15 16:06:29563 AT93C46 E2PROM存储器各引脚功能及管脚电压
概述:AT
2008-10-10 14:57:367732 内带E2PROM的数字电位器
数字控制电位器(DCP)是一种可由外部微处理器等来自由设定阻值的可变电阻器。与机械式电位器不同,它没有可动部分,因
2009-07-29 15:23:291774 三态MOS动态存储单元电路
2009-10-10 18:45:491213 熔丝型PROM的存储单元
2009-12-04 12:25:262228 使用FAMOS管的存储单元
2009-12-04 12:27:29875 E2PROM存储单元的三种工作状态
2009-12-04 13:04:451334 六管NMOS静态存储单元
2009-12-04 15:30:036567 四管动态MOS存储单元
2009-12-04 16:34:142284 单管动态MOS存储单元
2009-12-04 16:50:243757 基于SPI方式DSP外部E2PROM接口设计
0 引 言
近年来,随着DSP威廉希尔官方网站
的普及、高性能DSP芯片的出现,DSP已越来越多地被广大的工程师所接受,
2010-01-06 14:10:531910 CSI24Cxxx 是集E2PROM 存储器, 精确复位控制器和看门狗定时器三种流行功能于一体的芯片CSI24C161/162 16K CSI24C081/082 8K CSI24C041/042
2016-06-03 15:31:430 电子专业单片机相关知识学习教材资料——ARM基础应用实验04E2PROM存储器
2016-09-13 17:23:280 应用于超低电压下的SRAM存储单元设计_刘冰燕
2017-01-07 21:39:440 使用赛道存储单元的近阈值非易失SRAM_孙忆南
2017-01-07 21:45:571 。O工P存储器的种类很多,很多是基于熔丝和反熔丝,本文介绍的O工P存储器基于反熔丝结构。在反熔丝O工P存储器中,通过对选中单元的编程改变了存储单元内部的结构。理想的读机制下,没有编程的存储单元读取时会读出0,而通过编程的存储单元在读取时会读出1。反
2017-11-07 11:45:2111 本文档的主要内容详细介绍的是AT24C02串行CMOS E2PROM的使用资料详解。
2019-06-14 17:44:0010 存储单元的作用:可以进行读写操作以及存放数据。
2020-03-22 17:34:004034 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元,再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中,存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上,在一些
2020-05-14 09:19:473282 个名为Row Hammer的顽固安全漏洞。 Spin Memory的垂直环绕栅晶体管可以缩小MRAM和RRAM存储单元。 Spin Memory将设备称为通用选择器(Universal
2020-09-04 16:10:132090 按照数据存取的方式不同,ram中的存储单元分为两种:静态存储单元一静态RAM(SRAM);动态存储单元动态RAM(DRAM)。 1.静态存储单元(SRAM):它由电源来维持信息,如触发器,寄存器
2020-12-02 14:31:302182 数据必须首先在计算机内被表示,然后才能被计算机处理。计算机表示数据的部件主要是存储设备;而存储数据的具体单位是存储单元;因此,了解存储单元的结构是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269 采用HSPICE分别对设计的存储单元、延迟单元和积分器电路进行了仿真,晶体管模型选用TSMC0.18μm标准数字工艺参数。电源电压为±1 V;输入电流iin=40μA,信号频率fin=100 kHz
2021-02-18 10:06:391450 CSI93C46/56/57/66/86 是一种存储器可以定义为16 位ORG 引脚接Vcc 或者定义为8 位ORG 引脚接GND 的1K/2K/2K/4K/16K 位的串行E2PROM 每一个
2021-03-30 15:15:2016 MB85RQ4ML是一种FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,采用524,288字×8位的配置,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺威廉希尔官方网站
来形成非易失性存储单元。采用四路串行外设接口(QSPI),可使用四个
2021-05-04 10:12:00950 STC89C52RC单片机额外篇 | 08 - 认识I2C协议以及E2PROM存储器(AT24Cxx)
2021-11-22 11:06:0837 总线的寻址模式二、I2C总线器件的扩展1、扩展电路2、E2PROM(1)向E2PROM写数据流程(2)从E2PROM读数据流程三、实例一、I2C总线I2C总线是两线式串行总线,有两根双向信号线。一根是数据线SDA,一根是时钟线SCL。I2C总线的特点是:接口方式简单,两条线可以挂多个参与通信的
2021-11-25 14:36:109 闪速存储器(Flash Memory)又称闪存(Flash),是一种非易失性存储器,用存储单元阈值的高低表示数据。浮栅(Floating Gate )场效应管(见图5-80)是Flash存储单元采用的主要威廉希尔官方网站
。
2022-08-08 15:46:001076 使用的存储单元可以执行1013次写/读操作,大大超过了闪存或E2PROM可以重写的次数。不需要像闪存和E2PROM这样的长写入时间,并且写入等待时间为零。 因此,无需等待写入完成序列。
2022-11-17 15:31:27573
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