E-TA2012 T 6DB N5

物料型号：E-TA3216和E-TA2012。

器件简介：这些衰减器具有随温度变化的平坦VSWR特性和线性衰减特性，符合RoHS标准，适用于微波高功率放大器的温度补偿。

引脚分配：文档中未明确提供引脚分配信息，但提到了输入/输出端子和接地端子。

参数特性： - 衰减值：E-TA3216在25°C时为1、2、3、4、5dB，E-TA2012为1至10dB。 - 容差：E-TA3216在DC至3GHz为+0.5dB，在DC至1GHz为-0.5dB；E-TA2012在1至3GHz为-1.0dB。 - 阻抗：50欧姆。 - VSWR：E-TA3216在DC至2GHz小于1.3，2至3GHz小于1.7；E-TA2012在所有频率下小于1.3。 - 温度系数：E-TA3216为N5至N8，E-TA2012为N1至N8，具体数值见图表。 - 频率范围：DC至3GHz。 - 功率等级：E-TA3216为100mW，E-TA2012为63mW。 - 工作温度范围：-40°C至+100°C。

功能详解：衰减器的温度系数不同，可以根据不同的应用需求选择。

应用信息：用于微波高功率放大器的温度补偿。

封装信息：提供了E-TA3216和E-TA2012的外形尺寸和公差。