TF2103M-TAH

物料型号：TF2103M

器件简介：TF2103M是一款高电压、高速门驱动器，适用于驱动N沟道MOSFET和IGBT，特别适用于半桥配置。它采用TF Semiconductors的高电压工艺，能够在自举操作中将高侧切换至600V。

引脚分配： - Vcc：逻辑和低侧电源 - HIN：高侧门驱动器输出的逻辑输入，与HO同相 - LIN：低侧门驱动器输出的逻辑输入，与LO反相 - COM：低侧和逻辑返回 - LO：低侧门驱动输出 - VS：高侧浮动电源返回 - HO：高侧门驱动输出

参数特性： - 内部死区时间：420ns（典型值） - 低侧门驱动电源电压：10V至20V - 逻辑输入电压（HIN和LIN）：3.3V能力，施密特触发逻辑输入 - 欠压锁定：VCC（逻辑和低侧电源）

功能详解： - TF2103M设计用于在嘈杂的电机应用中提高性能，具有290mA源/600mA汇输出电流能力。 - 输出能够容忍负瞬变。 - 固定内部死区时间保护MOSFET。

应用信息： - 电机控制 - DC-DC转换器 - AC-DC逆变器

封装信息： - SOIC-8(N) - PDIP-8