TDM31056

物料型号: TDM31056

器件简介: - 使用先进的沟槽威廉希尔官方网站 制造，具有出色的RDS(ON)和低栅极充电特性。 - 适用于作为负载开关或PWM（脉冲宽度调制）应用。

引脚分配: - 引脚1: 栅极（G） - 引脚2-3: 漏极（D） - 引脚4-8: 源极（S） - 封装类型：DFN5x6-8

参数特性: - RDS(ON) < 18.2mΩ @ VGS=4.5V - RDS(ON) < 13.5mΩ @ VGS=10V - 漏源电压（VDS）最大100V - 栅源电压（VGS）最大+20V - 连续正向电流（Is）最大21A（Tc=25°C） - 连续漏极电流（Io）最大43A（Tc=25°C） - 最大功率耗散（Po）52W（Tc=25°C）

功能详解: - 设备为N-Channel增强型MOSFET，具有高功率和电流处理能力。 - 无铅产品可用。 - 应用包括PWM应用、负载开关、电源管理、硬开关和高频电路。

应用信息: - PWM应用 - 负载开关 - 电源管理 - 硬开关和高频电路

封装信息: - 封装类型：DFN5x6-8 - 推荐焊盘图案提供了封装的尺寸信息，包括最小和最大值。