BAV199

物料型号为“Silicon Epitaxial Planar Diode”，是一种低漏电切换双二极管，适用于低漏电电流应用。

器件简介包括极低的漏电电流和中等速度切换时间，以及系列对配置。

引脚分配为SOT-23塑料封装，具有3个引脚。

参数特性包括： - 峰值重复反向电压（VRRM）：85V - 连续反向电压（VR）：85V - 连续正向电流（IF）：单二极管160mA，双二极管140mA - 重复峰值正向电流（IFRM）：500mA - 非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：在1秒、1毫秒时分别为4A、1A、0.5A - 功率耗散（P0）：250mW - 热阻（RBJA）：500°C/W - 工作和存储温度范围（T, Tstg）：-65至+150°C

功能详解包括电气特性，如反向击穿电压、正向电压、反向电流、总电容和反向恢复时间。

应用信息未在文档中明确说明，但根据其特性，可能适用于需要低漏电和中等速度切换的应用。

封装信息为SOT-23塑料表面贴装封装，具有3个引脚。