SiC779DB

物料型号： - SiC779CD-T1-GE3：PowerPAK MLP66-40封装 - SiC779DB：参考板

器件简介： SiC779是一款集成解决方案，包含PWM优化的N沟道MOSFET（高侧和低侧）以及一个全功能的MOSFET驱动IC。该器件遵循英特尔DrMOS标准，适用于桌面和服务器电源阶段。SiC779可提供高达40A的连续输出电流，输入电压范围为3V至16V。集成的MOSFET优化用于0.8V至2.0V的输出电压范围，标称输入电压为12V。该器件在5V输出下也能为ASIC应用提供非常高的功率。

引脚分配： - SMOD（1）：禁用低侧MOSFET门操作，低电平有效。 - VCIN（2）：控制IC（5V）的偏置供电输入。 - VDRV（3）：IC偏置供电和栅极驱动供电电压（5V）。 - BOOT（4）：高侧驱动器bootstrap电压引脚，用于外部bootstrap电容器。 - CGND（5, 37）：控制信号地，应外部连接至PGND。 - GH（6）：高侧MOSFET的栅极信号输出引脚，用于监控。 - PHASE（7）：HS bootstrap电容器的返回引脚，将0.1μF陶瓷电容器连接自此引脚至BOOT引脚（4）。 - VIN（8至14）：电源阶段的输入电压，高侧MOSFET的漏极。 - PGND（15, 29至35）：相节点，位于高侧MOSFET源极和低侧MOSFET漏极之间，应连接至输出电感器。所有引脚内部连接。电源地。 - GL（36）：低侧MOSFET的栅极信号输出引脚，用于监控。 - THDN（38）：热关断开漏输出，使用10K上拉电阻至VCIN。 - DSBL#（39）：禁用引脚，低电平有效。 - PWM（40）：PWM输入逻辑信号，兼容三态控制器功能。

参数特性： - 输入电压范围：3V至16V。 - 连续输出电流：高达40A。 - 输出电压范围：0.8V至2.0V，标称输入电压12V。 - 操作频率：可超过1MHz。

功能详解： - 集成的MOSFET门驱动IC接受单个PWM输入，并将其转换为高侧和低侧MOSFET栅极驱动信号。 - 设计实现跳过模式（SMOD）以提高轻负载效率。 - 自适应死时控制提高所有负载点的效率。 - 热警告（THDN）功能，警示过高的结温。 - 包括使能引脚、欠压锁定和短路保护。

应用信息： - CPU和GPU核心电压调节，服务器、计算机、工作站、游戏控制台、图形板、PC等。

封装信息： - PowerPAK MLP 6 x 6 40引脚封装，紧凑型共封装组件有助于减少杂散电感，从而提高效率。封装符合RoHS指令2002/95/EC，无卤素，根据IEC 61249-2-21定义。