SIC769ACD-T1-GE3

### 物料型号 - SiC769ACD-T1-GE3（封装：PowerPAK MLP66-40） - SiC769ADB（参考板）

### 器件简介 SiC769ACD是一款集成解决方案，包含PWM优化的N沟道MOSFET（高侧和低侧）以及全功能的MOSFET驱动IC。该设备遵循Intel DrMOS标准，适用于桌面和服务器的Vcore电源阶段。SiC769ACD能提供高达35A的连续输出电流，输入电压范围为3V至16V。集成MOSFET针对0.8V至2.0V的输出电压范围进行了优化，标称输入电压为12V。该设备还可以在5V输出下为ASIC应用提供非常高的功率。

### 引脚分配 | Pin Number | Symbol | Description | | --- | --- | --- | | 1 | SMOD | 禁用低侧栅极操作。低电平有效。 | | 2 | VCIN | 控制IC（5V）的偏置供电输入。 | | 3 | VDRV | IC偏置供电和栅极驱动供电电压（5V）。 | | 4 | BOOT | 高侧驱动器bootstrap电压引脚，用于外部bootstrap电容器。 | | 5,37,PAD1 | CGND | 控制信号地。应与Ponp外部连接。所有引脚内部连接。 | | 6 | GH | 高侧MOSFET的栅极信号输出引脚。用于监控。 | | 7 | PHASE | HS bootstrap电容器的返回引脚。从这个引脚到boot引脚（4）连接一个0.1 uF陶瓷电容器。 | | 8到14,PAD2 | VIN | 电源阶段的输入电压。它是高侧MOSFET的漏极。 | | 15, 29到35, PAD3 | VSWH | 它是高侧MOSFET源极和低侧MOSFET漏极之间的相节点。应连接到输出电感器。所有引脚内部连接。 | | 16到28 | PGND | 电源地。 | | 36 | GL | 低侧MOSFET的栅极信号输出引脚。用于监控。 | | 38 | THDN | 热关断开漏输出。使用10K上拉电阻到VcIN。 | | 39 | DSBL# | 禁用引脚。低电平有效。 | | 40 | PWM | PWM输入逻辑信号。兼容三态控制器功能。 |

### 参数特性 - 输入电压范围：3V至16V - 最大连续输出电流：35A - 输出电压范围：0.8V至2.0V（标称输入电压12V） - 驱动IC设计用于实现轻负载效率提升的跳过模式（SMOD）功能。 - 自适应死时控制，改善所有负载点的效率。 - 集成Gen III MOSFETs和DrMOS兼容的栅极驱动IC。 - 3.3V逻辑电平PWM输入。 - 5V驱动偏置供电优化的MOSFET阈值电压。 - 低输出电压解决方案中，轻松实现超过90%的效率。 - 低VSWH引脚上的振铃降低EMI。 - 引脚兼容DrMOS 6 x 6版本3.0。 - 三态PWM输入功能防止负输出电压摆动。

### 功能详解 - SiC769ACD包含一个先进的MOSFET栅极驱动IC。该IC接受来自Vr控制器的单个PWM输入，并将其转换为高侧和低侧MOSFET的栅极驱动信号。驱动IC旨在实现跳过模式（SMOD）功能，以提高轻负载效率。自适应死时控制也起作用，以改善所有负载点的效率。 - SiC769ACD具有热警告（THDN），在结温过高时提醒系统。驱动IC包括使能引脚、欠压锁定和射击保护。 - SiC769ACD针对高频降压应用进行了优化。可以轻松实现超过1MHz的运行频率。

### 应用信息 - CPU和GPU核心电压调节 - 服务器、计算机、工作站、游戏控制台、图形板、PC