SIC762DB

1. 物料型号： - 型号为SiC762CD，由Vishay Siliconix生产。

2. 器件简介： - SiC762CD是一款集成解决方案，包含针对PWM优化的n通道MOSFET（高侧和低侧）以及一个全功能的MOSFET驱动IC。该器件遵循Intel DrMOS标准，适用于桌面和服务器的$V_{core}$电源阶段。SiC762CD能够提供高达35A的连续输出电流，输入电压范围为3V至27V。集成的MOSFET针对0.8V至2.0V的输出电压范围进行了优化，标称输入电压为24V。该器件还能在5V输出下为ASIC应用提供非常高的功率。

3. 引脚分配： - 1号引脚：SMOD，用于禁用低侧门操作，低电平有效。 - 2号引脚：VCIN，控制IC的偏置供电输入（5V）。 - 3号引脚：VDRV，IC偏置供电和门驱动供电电压（5V）。 - 4号引脚：BOOT，高侧驱动器bootstrap电压引脚，用于外部bootstrap电容器。 - 5、37号引脚及PAD1：CGND，控制信号地，应与PCnp外部连接。 - 6号引脚：GH，高侧MOSFET的门信号输出引脚，用于监控。 - 7号引脚：PHASE，HS bootstrap电容器的返回引脚。 - 8至14号引脚及PAD2：VIN，电源阶段的输入电压，是高侧MOSFET的漏极。 - 15、29至35号引脚及PAD3：VSWH，相节点在高侧MOSFET源极和低侧MOSFET漏极之间，应连接到输出电感器。 - 16至28号引脚：PGND，电源地。 - 36号引脚：GL，低侧MOSFET的门信号输出引脚，用于监控。 - 38号引脚：THDN，热关断开漏输出，使用10K上拉电阻至VCIN。 - 39号引脚：DSBL#，禁用引脚，低电平有效。 - 40号引脚：PWM，PWM输入逻辑信号，兼容三态控制器功能。

4. 参数特性： - 输入电压范围：3V至27V。 - 连续输出电流：高达35A。 - 输出电压范围：0.8V至2.0V（标称输入电压24V）。 - 能够提供5V输出下的高功率。 - 集成Gen III MOSFETs和DrMOS兼容的门驱动IC。 - 支持1MHz的V$v_{core}$开关。 - 超过90%的效率在多相、低输出电压解决方案中容易实现。 - 低VSWH引脚上的振铃降低EMI。 - 与DrMOS 6 x 6版本3.0引脚兼容。 - 三态PWM输入功能防止负输出电压摆动。 - PWM输入兼容5V逻辑电平。

5. 功能详解： - SiC762CD包含一个先进的MOSFET门驱动IC，该IC接受来自V$v_{R}$控制器的单个PWM输入，并将其转换为高侧和低侧MOSFET的阈值电压。 - 设计用于实现跳过模式（SMOD）功能，以提高轻负载效率。自适应死时控制也有助于在所有负载点提高效率。SiC762CD具有热警告（THDN），以警告系统过热。 - 包括使能引脚、UVLO和短路保护。

6. 应用信息： - 用于CPU和GPU核心电压调节。 - 应用于服务器、计算机、工作站、游戏控制台、图形板、PC等。