TSM7311DCS

1. 物料型号： - 型号为TSM7311D。

2. 器件简介： - TSM7311D是一款20V双N沟道MOSFET，具有ESD保护功能，采用SOP-8封装。该器件采用先进的沟槽工艺威廉希尔官方网站 和高密度单元设计，具有超低导通电阻，出色的热和电气性能，特别适用于锂离子电池包。

3. 引脚分配： - 1. Source 1 - 2. Gate 1 - 3. Source 2 - 4. Gate 2 - 5, 6. Drain 2 - 7, 8. Drain 1

4. 参数特性： - VDS = 20V - RDS(on), Vgs @ 4.5V, Ids @ 6.5A = 22mΩ - RDS(on), Vgs @ 2.5V, Ids @ 5.5A = 30mΩ

5. 功能详解： - 该器件具有高级沟槽工艺威廉希尔官方网站 和高密度单元设计，用于超低导通电阻。 - 优秀的热和电气性能。 - 特别为锂离子电池包设计。 - 适用于电池开关应用。

6. 应用信息： - 适用于电池开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型为SOP-8。 - 封装尺寸详细图纸在文档中有提供。