williamhill
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看威廉希尔官方网站 视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
2N5680

2N5680

  • 厂商:

    SEME-LAB

  • 封装:

  • 描述:

    2N5680 - PNP SILICON TRANSISTORS - Seme LAB

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N5680 数据手册
2N5680
1. 物料型号: - 2N5679 和 2N5680

2. 器件简介: - 2N5679 和 2N5680 是硅外延平面PNP晶体管,封装在JEDEC TO-39金属外壳中,用于作为一般用途、放大器和开关电路中高功率晶体管的驱动器。对应的互补NPN型号分别为2N5681和2N5682。

3. 引脚分配: - Pin 1 – Emitter(发射极) - Pin 2 – Base(基极) - Pin 3 – Collector(集电极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - 2N5679:VCBO(集电极-基极电压)-100V,VCEO(集电极-发射极电压)-100V - 2N5680:VCBO(集电极-基极电压)-120V,VCEO(集电极-发射极电压)-120V - 其他参数包括连续集电极电流(Ic)、基极电流(IB)、总功耗(Ptot)、工作和存储温度范围(Tstg)、结温(Tj)等。

5. 功能详解: - 该文档提供了详细的电气特性参数,包括集电极截止电流(ICBO)、集电极截止电流(ICEV)、集电极截止电流(ICEO)、发射极截止电流(EBO)、集电极发射极维持电压(VCEO(sus))、集电极发射极饱和电压(VCE(sat))、基极发射极电压(VBE)、直流电流增益(hFE)、转换频率(fT)、集电极-基极电容(CCBO)和小信号电流增益(hfe)。

6. 应用信息: - 这些晶体管适用于一般用途、放大器和开关电路中作为高功率晶体管的驱动器。

7. 封装信息: - 晶体管封装在JEDEC TO-39金属外壳中,尺寸为8.51mm x 9.40mm。
2N5680 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2N5680”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货