1. 物料型号:
- 型号为BLF888,是一款UHF功率LDMOS晶体管。
2. 器件简介:
- 这是一款500W的LDMOS射频功率晶体管,适用于广播发射机和工业应用。该晶体管针对数字应用进行了优化,能够在470MHz至860MHz的全UHF频段上提供110W的平均DVB-T宽带。
3. 引脚分配:
- 引脚1:漏极1(drain1)
- 引脚2:漏极2(drain2)
- 引脚3:栅极1(gate1)
- 引脚45:栅极2(gate2)
- 引脚源:源极(source)
4. 参数特性:
- 在V_DS=50V的条件下,860MHz窄带测试电路中的射频性能。
- 2-Tone, class AB模式下,中心频率860MHz时的峰值包络功率(PL(PEP))为500W,平均功率(PL(AV))为250W,功率增益(Gp)为19dB,漏极效率(nD)为46%,三阶互调失真(IMD3)为-32dBc。
- DVB-T(8k OFDM)模式下,中心频率858MHz时,平均输出功率为110W,功率增益为19dB,漏极效率为31%,肩部距离(shoulder distance)为-31dBc(中心频率4.3MHz处)。
5. 功能详解:
- 该晶体管具有集成的ESD保护,采用先进的法兰材料以实现最佳热行为和可靠性。符合RoHS指令,关于限制有害物质的使用。
- 内部输入匹配设计用于高增益和最佳宽带操作,易于功率控制。
6. 应用信息:
- 通信发射机应用和UHF频段的工业应用。
7. 封装信息:
- 采用带法兰的LDMOS陶瓷封装,型号为SOT979A,具有2个安装孔和4个引脚。