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创作活动
BLF888_11

BLF888_11

  • 厂商:

    PHILIPS

  • 封装:

  • 描述:

    BLF888_11 - UHF power LDMOS transistor - NXP Semiconductors

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BLF888_11 数据手册
BLF888_11
1. 物料型号: - 型号为BLF888,是一款UHF功率LDMOS晶体管。

2. 器件简介: - 这是一款500W的LDMOS射频功率晶体管,适用于广播发射机和工业应用。该晶体管针对数字应用进行了优化,能够在470MHz至860MHz的全UHF频段上提供110W的平均DVB-T宽带。

3. 引脚分配: - 引脚1:漏极1(drain1) - 引脚2:漏极2(drain2) - 引脚3:栅极1(gate1) - 引脚45:栅极2(gate2) - 引脚源:源极(source)

4. 参数特性: - 在V_DS=50V的条件下,860MHz窄带测试电路中的射频性能。 - 2-Tone, class AB模式下,中心频率860MHz时的峰值包络功率(PL(PEP))为500W,平均功率(PL(AV))为250W,功率增益(Gp)为19dB,漏极效率(nD)为46%,三阶互调失真(IMD3)为-32dBc。 - DVB-T(8k OFDM)模式下,中心频率858MHz时,平均输出功率为110W,功率增益为19dB,漏极效率为31%,肩部距离(shoulder distance)为-31dBc(中心频率4.3MHz处)。

5. 功能详解: - 该晶体管具有集成的ESD保护,采用先进的法兰材料以实现最佳热行为和可靠性。符合RoHS指令,关于限制有害物质的使用。 - 内部输入匹配设计用于高增益和最佳宽带操作,易于功率控制。

6. 应用信息: - 通信发射机应用和UHF频段的工业应用。

7. 封装信息: - 采用带法兰的LDMOS陶瓷封装,型号为SOT979A,具有2个安装孔和4个引脚。
BLF888_11 价格&库存

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