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TIL111W

TIL111W

  • 厂商:

    ONSEMI(安森美)

  • 封装:

    6-DIP(0.400",10.16mm)

  • 描述:

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

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TIL111W 数据手册
TIL111W
物料型号: - TIL111 - TIL111-M(白色封装,带-M后缀) - TIL117-M - MOC8100-M

器件简介: 这些光继电器由一个镓砷化物红外发光二极管驱动一个硅光晶体管,封装在6引脚的双列直插封装中。

引脚分配: - 1. 阳极(Anode) - 2. 阴极(Cathode) - 3. 无连接(No Connection) - 4. 发射极(Emitter) - 5. 集电极(Collector) - 6. 基极(Base)

参数特性: - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C - 工作温度范围:-55°C 至 +100°C - 焊接温度:260°C,持续10秒 - 总器件功率耗散(25°C时):250mW,随温度升高而降低 - 发射极直流/平均正向输入电流:100mA(非-M),60mA(-M) - 反向输入电压:3V至6V - 正向电流峰值(300秒,2%工作周期):3A

功能详解: - 这些光继电器可用于电源调节器、数字逻辑输入、微处理器输入、家电传感器系统和工业控制等多种应用。

应用信息: - 光继电器广泛应用于需要电气隔离的场合,如前面提到的应用领域。

封装信息: - 有黑色和白色两种封装选项,白色封装通过在型号后加-M后缀或V选项来指定。 - 提供了详细的封装尺寸和引脚布局,包括通孔和表面贴装选项。
TIL111W 价格&库存

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