1. 物料型号:
- 型号为BLF888,是一款UHF功率LDMOS晶体管。
2. 器件简介:
- 这是一款500W的LDMOS射频功率晶体管,适用于广播发射机和工业应用。该晶体管针对数字应用进行了优化,能够在470MHz至860MHz的全UHF频段上提供110W的平均DVB-T宽带。
3. 引脚分配:
- 引脚1:drain1
- 引脚2:drain2
- 引脚3:gate1
- 引脚45:gate2
- 引脚5:source(连接到法兰)
4. 参数特性:
- 漏源电压(Vds)最大104V,栅源电压(Vgs)在-0.5V至+11V之间,存储温度范围为-65°C至+150°C,结温(Tj)最高200°C。
5. 功能详解:
- 在860MHz下,静态漏极电流(Idq)为1.3A时,该器件可提供500W的峰值包络功率(PL(PEP)),功率增益(Gp)为19dB,漏极效率(nD)为46%。在858MHz下,DVB-T(8k OFDM)模式下,平均输出功率为110W,功率增益为19dB,漏极效率为31%。
6. 应用信息:
- 适用于UHF频段的通信发射机和工业应用。
7. 封装信息:
- 封装类型为SOT979A,是一种带法兰的LDMOS陶瓷封装,有2个安装孔和4个引脚。