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BLF888

BLF888

  • 厂商:

    NXP(恩智浦)

  • 封装:

  • 描述:

    BLF888 - UHF power LDMOS transistor - NXP Semiconductors

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BLF888 数据手册
BLF888
1. 物料型号: - 型号为BLF888,是一款UHF功率LDMOS晶体管。

2. 器件简介: - 这是一款500W的LDMOS射频功率晶体管,适用于广播发射机和工业应用。该晶体管针对数字应用进行了优化,能够在470MHz至860MHz的全UHF频段上提供110W的平均DVB-T宽带。

3. 引脚分配: - 引脚1:drain1 - 引脚2:drain2 - 引脚3:gate1 - 引脚45:gate2 - 引脚5:source(连接到法兰)

4. 参数特性: - 漏源电压(Vds)最大104V,栅源电压(Vgs)在-0.5V至+11V之间,存储温度范围为-65°C至+150°C,结温(Tj)最高200°C。

5. 功能详解: - 在860MHz下,静态漏极电流(Idq)为1.3A时,该器件可提供500W的峰值包络功率(PL(PEP)),功率增益(Gp)为19dB,漏极效率(nD)为46%。在858MHz下,DVB-T(8k OFDM)模式下,平均输出功率为110W,功率增益为19dB,漏极效率为31%。

6. 应用信息: - 适用于UHF频段的通信发射机和工业应用。

7. 封装信息: - 封装类型为SOT979A,是一种带法兰的LDMOS陶瓷封装,有2个安装孔和4个引脚。
BLF888 价格&库存

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