1. 物料型号:
- NP80N03EDE, NP80N03KDE, NP80N03CDE, NP80N03DDE, NP80N03MDE, NP80N03NDE
2. 器件简介:
- 这些产品是为高电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
3. 引脚分配:
- TO-263 (MP-25ZJ) 类型1.4克
- TO-263 (MP-25ZK) 类型1.5克
- TO-220 (MP-25) 类型1.9克
- TO-262 (MP-25 Fin Cut) 类型1.8克
- TO-220 (MP-25K) 类型1.9克
- TO-262 (MP-25SK) 类型1.8克
4. 参数特性:
- 最大漏源导通电阻RDS(on)在不同电压下的值分别为:11 mΩ (VGS=4.5V, ID=40A),7.0 mΩ (VGS=10V, ID=40A),9.0 mΩ (VGS=5V, ID=40A)。
- 输入电容Ciss典型值为2600 pF。
5. 功能详解:
- 这些晶体管具有低导通电阻和低输入电容,适用于高电流开关应用。
6. 应用信息:
- 推荐应用包括计算机、办公设备、通讯设备、测试和测量设备、音视频设备、家用电器、机床、个人电子设备和工业机器人等。
7. 封装信息:
- 提供了TO-263、TO-220和TO-262等不同封装类型的详细图纸和尺寸。