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创作活动
GM71C4403ET-80

GM71C4403ET-80

  • 厂商:

    LG(乐金电子)

  • 封装:

  • 描述:

    GM71C4403ET-80 - 1,048,576 Words x Bit Organization - LG Semicon Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
GM71C4403ET-80 数据手册
GM71C4403ET-80
1. 物料型号: - GM71C4403E/ELJ-60 - GM71C4403E/ELJ-70 - GM71C4403E/ELJ-80 - GM71C4403ET/ELT-60

2. 器件简介: - GM71C4403E/EL是新一代动态RAM,组织为1,048,576字 x 4位。利用先进的CMOS工艺威廉希尔官方网站 ,实现了更高的密度、更高的性能和多种功能。提供扩展数据输出(EDO)模式作为高速访问模式。

3. 引脚分配: - A0-A9:地址输入/刷新地址输入 - I/O1-I/O4:数据输入/数据输出 - RAS:行地址选通 - CAS:列地址选通 - WE:读/写使能 - OE:输出使能 - Vcc:电源(+5V) - Vss:地

4. 参数特性: - 组织:1,048,576字 x 4位 - 扩展数据输出模式能力 - 单电源供电(5V±10%) - 快速访问时间和周期时间

5. 功能详解: - 提供了不同访问时间和功耗的版本,包括活动功耗和待机功耗。 - 支持仅RAS刷新、CAS前RAS刷新、隐藏刷新能力。 - 所有输入和输出TL兼容。 - 支持1024刷新周期/16ms和1024刷新周期/128ms(L版本)。 - 支持电池备份操作(L版本)。

6. 应用信息: - 系统导向特性包括与高性能逻辑系列如肖特基TTL的直接接口能力。

7. 封装信息: - 300mil 20pin塑料SOJ - 300mil 20(26)pin塑料TSOP II(反向类型)
GM71C4403ET-80 价格&库存

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