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创作活动
GM71C4403ELJ-60

GM71C4403ELJ-60

  • 厂商:

    LG(乐金电子)

  • 封装:

  • 描述:

    GM71C4403ELJ-60 - 1,048,576 Words x Bit Organization - LG Semicon Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
GM71C4403ELJ-60 数据手册
GM71C4403ELJ-60
1. 物料型号: - GM71C4403E/ELJ-60 - GM71C4403E/ELJ-70 - GM71C4403E/ELJ-80 - GM71C4403ET/ELT-60 - GM71C4403ER/ELR-60 - GM71C4403ER/ELR-70 - GM71C4403ER/ELR-80

2. 器件简介: - GM71C4403E/EL是新一代动态RAM,组织为1,048,576字 x 4位。利用先进的CMOS工艺威廉希尔官方网站 ,实现了更高的密度、更高的性能和多种功能。提供扩展数据输出(EDO)模式作为高速访问模式。

3. 引脚分配: - A0-A9:地址输入/刷新地址输入 - I/O1-I/O4:数据输入/数据输出 - RAS:行地址选通 - CAS:列地址选通 - WE:读/写使能 - OE:输出使能 - Vcc:电源(+5V) - Vss:地

4. 参数特性: - 组织:1,048,576字 x 4位 - 扩展数据输出模式能力 - 单电源供电(5V±10%) - 快速访问时间和周期时间

5. 功能详解应用信息: - 低功耗活动:440/385/358mW(最大值),待机:5.5mW(CMOS水平:最大值),0.55mW(L版本) - 仅RAS刷新,CAS前RAS刷新,隐藏刷新能力 - 所有输入和输出TL兼容 - 刷新周期:1024次/16ms,1024次/128ms(版本) - 电池备份操作(L版本)

6. 封装信息: - 300mil 20pin塑料SOJ - 300mil 20pin塑料TSOP II(反向类型)
GM71C4403ELJ-60 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“GM71C4403ELJ-60”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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