GM71C4403E-80

物料型号： - GM71C4403E/ELJ-60 - GM71C4403E/ELJ-70 - GM71C4403E/ELJ-80 - GM71C4403ET/ELT-60

器件简介： GM71C4403E/EL是新一代动态RAM，组织为1,048,576字 x 4位。利用先进的CMOS工艺威廉希尔官方网站 ，实现了更高的密度、更高的性能和多种功能。提供扩展数据输出(EDO)模式作为高速访问模式。多路复用地址输入允许GM71C4403E/EL封装在标准的300mil 20引脚塑料SOJ中。封装尺寸提供高系统位密度，并且与广泛可用的自动化测试和插入设备兼容。

引脚分配： - A0-A9：地址输入/刷新地址输入 - I/O1-I/O4：数据输入/数据输出 - RAS：行地址选通 - CAS：列地址选通 - WE：读/写使能 - OE：输出使能 - Vcc：电源(+5V) - Vss：地

参数特性： - 组织：1,048,576字 x 4位 - 扩展数据输出模式能力 - 单电源供电(5V±10%) - 快速访问时间和周期时间

功能详解： - 单电源供电 - 快速访问时间和周期时间 - 低功耗活动：440/385/358mW(最大值)待机：5.5mW(CMOS水平：最大值)0.55mW(L版) - 仅RAS刷新，CAS前RAS刷新，隐藏刷新能力 - 所有输入和输出TL兼容 - 1024刷新周期/16ms - 1024刷新周期/128ms(L版) - 电池备份操作(L版)

应用信息： 该芯片适用于需要高密度、高性能动态存储的系统，如计算机内存、高速缓存存储等。

封装信息： - 300 Mil, 20 (26) Pin Plastic SOJ - 300 Mil, 20 (26) Pin Plastic TSOP II (Reverse Type)