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GM71C4403DR-80

GM71C4403DR-80

  • 厂商:

    LG(乐金电子)

  • 封装:

  • 描述:

    GM71C4403DR-80 - 1,048,576 Words x Bit Organization - LG Semicon Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
GM71C4403DR-80 数据手册
GM71C4403DR-80
### 物料型号 - 型号:GM71C4403D/DL - 制造商:LG Semicon.Co.,LTD.

### 器件简介 GM71C4403D/DL是一款新一代动态RAM,组织为1,048,576字 x 4位。利用先进的CMOS工艺威廉希尔官方网站 ,实现了更高的密度、更高的性能和多种功能。支持扩展数据输出(EDO)模式作为高速访问模式。多路复用地址输入允许GM71C4403D/DL封装在标准的300mil 20引脚塑料SOJ中。封装尺寸提供了高系统位密度,并且与广泛可用的自动化测试和插入设备兼容。

### 引脚分配 - 20(26) SOJ - 20(26) TSOP II

### 参数特性 - 组织:1,048,576 Words x 4 Bit - 扩展数据输出模式能力 - 单电源供电:5V±10%容忍度 - 快速访问时间和周期时间

### 功能详解 - 刷新模式:RAS Only Refresh, CAS before RAS Refresh, Hidden Refresh Capability - 输入输出兼容性:所有输入和输出TL兼容 - 刷新周期:1024 Refresh Cycles/16ms 或 1024 Refresh Cycles/128ms (-version) - 电池备份操作:(L-version)

### 应用信息 该芯片适用于需要高密度、高性能动态存储的系统,如计算机内存、高速缓存等。

### 封装信息 - 20(26) TSOP (TYPE.ID) - 具体尺寸和引脚布局图在文档中有详细描述。
GM71C4403DR-80 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“GM71C4403DR-80”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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