JMSH1004AE

1. 物料型号：JMSH1004AC 和 JMSH1004AE 2. 器件简介：100V 3.0mΩ N-Ch Power MOSFET，具有超低RDS(ON)、低栅极电荷、高电流承载能力。 3. 引脚分配： - TO220-3L封装：G D S - TO263-3L封装：D G S 4. 参数特性： - 漏源电压(VDs)：100V - 栅源电压(GS(h))：2.7V - 漏极电流(ID(@Vos=10V))：190A - 栅极电荷(Qg)：在20A时，VDS=50V，RDS(ON)的值随VGS变化 - 热阻抗：结到环境(ROJA)典型值45°C/W，结到外壳(RuC)典型值0.40°C/W 5. 功能详解：包括静态参数、动态参数和开关参数，如漏源击穿电压、栅极阈值电压、静态漏源导通电阻、输入电容、输出电容、反向传输电容、栅极电阻、总栅极电荷、栅源电荷、栅漏电荷、开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间、关断下降时间、体二极管反向恢复时间、体二极管反向恢复电荷等。 6. 应用信息：适用于电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理，DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换，电动工具、电动车、机器人的电机驱动。 7. 封装信息：提供了TO220-3L和TO263-3L两种封装的详细信息，包括引脚数量、标记、最大节拍寿命(MSL)、温度范围、介质和数量。

此外，文档还包含了一些图表，如饱和特性、转移特性、RDS(ON)与漏极电流的关系、RDS(ON)与结温的关系、体二极管特性、电容特性、电流降额曲线、功率降额曲线、最大安全工作区、单脉冲功率额定值、归一化瞬态热阻抗等。