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BUY69A

BUY69A

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BUY69A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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  • 价格&库存
BUY69A 数据手册
BUY69A
1. 物料型号: - BUY69A、BUY69B、BUY69C

2. 器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,具有TO-3封装和高电压能力。适用于CTV接收器的水平偏转输出级以及高电压、快速开关和工业应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - VCBO(集电极-基极电压):BUY69A为1000V,BUY69B为800V,BUY69C为500V。 - VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):BUY69A为400V,BUY69B为325V,BUY69C为200V。 - VEBO(发射极-基极电压):8V。 - Ic(集电极电流):10A。 - ICM(集电极峰值电流):15A。 - 1B(基极电流):3.0A。 - PD(总功率耗散):100W。 - T(结温):200°C。 - Tstg(存储温度):-65至200°C。

5. 功能详解: - 包括热阻(Rthjc):从结到外壳的热阻为1.75°C/W。 - 特性(Tj=25℃): - VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):BUY69A为400V,BUY69B为325V,BUY69C为200V。 - VCBO(集电极-基极电压):BUY69A为1000V,BUY69B为800V,BUY69C为500V。 - VcEsat(集电极-发射极饱和电压):3.3V。 - VBEsat(基极-发射极饱和电压):2.2V。 - IcES(集电极截止电流):1.0mA。 - IEBO(发射极截止电流):1.0mA。 - hFE(直流电流增益):15。 - fr(过渡频率):10MHz。 - 开关时间: - 上升时间:0.3μs。 - 存储时间:1.8μs。 - 下降时间:1.0μs。

6. 应用信息: - 适用于CTV接收器的水平偏转输出级以及高电压、快速开关和工业应用。

7. 封装信息: - TO-3封装,具体尺寸和符号见图2。
BUY69A 价格&库存

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