R1LV0408CSB-5SI

物料型号： - R1LV0408CSP-5SI：55ns访问时间，525-mil 32-pin塑料SOP(32P2M-A)封装。 - R1LV0408CSP-7LI：70ns访问时间。 - R1LV0408CSB-5SI：55ns访问时间，400-mil 32-pin塑料TSOP II(32P3Y-H)封装。 - R1LV0408CSB-7LI：70ns访问时间。 - R1LV0408CSA-5SI：55ns访问时间，8mmx13.4mm STSOP(32P3K-B)封装。 - R1LV0408CSA-7LI：70ns访问时间。

器件简介： R1LV0408C-I是一款4M位静态RAM，组织为512K字×8位。该系列产品通过采用CMOS工艺威廉希尔官方网站 （6晶体管存储单元）实现高密度、高性能和低功耗。适合电池后备系统，提供32-pin SOP、32-pin TSOP II和32-pin STSOP封装。

引脚分配： - A0至A18：地址输入。 - I/O0至I/O7：数据输入/输出。 - CS#(CS)：芯片选择。 - OE#(OE)：输出使能。 - WE#(WE)：写使能。 - Vcc：电源。 - Vss：地。

参数特性： - 单3V供电：2.7V至3.6V。 - 访问时间：最大55/70ns。 - 功耗： - 活动状态：6mW/MHz（典型值）。 - 待机状态：1.5µW（典型值）。 - 完全静态存储器，无需时钟或定时信号。 - 直接TTL兼容，所有输入输出相同。 - 支持电池备份操作。 - 工作温度范围：-40至+85°C。

功能详解： - 完全静态存储器，无需时钟或定时信号，访问时间和周期时间相等，数据输入输出共用。 - 三态输出，直接TTL兼容。 - 支持电池备份操作。 - 工作温度范围：-40至+85°C。

应用信息： 适用于需要低功耗和高密度存储的应用，如电池后备系统。

封装信息： - 32-pin SOP - 32-pin TSOP II - 32-pin STSOP