SSD2007

1. 物料型号： - 型号：SSD2007A - 描述：双N沟道功率MOSFET

2. 器件简介： - SSD2007A是一款双N沟道功率MOSFET，具有极低的导通电阻(RDS(ON))、改进的感性负载鲁棒性、快速开关时间、坚固的多晶硅栅结构、低输入电容和扩展的安全工作区。

3. 引脚分配： - 封装形式为表面贴装的8SOP。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括漏源电压(VDss)为50V、栅漏电压(VDGR)为50V、栅源电压(VGs)为±20V等。 - 电气特性包括漏源击穿电压(BVpss)为600V、栅阈值电压(VGsth)为2.0V至4.0V、导通状态下的漏源电阻(RDS(on))等。

5. 功能详解： - 该器件包含内部二极管，适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用场合，如开关电源、电机控制等。

6. 应用信息： - 适用于需要高效率和高功率密度的应用，如开关电源、电机控制和电源转换。

7. 封装信息： - 提供表面贴装的8SOP封装。