IRF7705TR

物料型号：IRF7705 器件简介：IRF7705 是一款 HEXFET® Power MOSFET，具有超低导通电阻的 P-Channel MOSFET，采用小型的 SOIC 封装，适合在电池和负载管理等应用中使用。

引脚分配：G（门极）- 4号引脚，D（漏极）- 5、1、2、3号引脚，S（源极）- 6、7、8号引脚。

参数特性：V(BR)DSS（漏极-源极击穿电压）最小值为-30V，RDS(on)（导通电阻）在 VGs=-10V 时最大为 18mΩ，在 VGs=-4.5V 时为 30mΩ。

功能详解：该器件利用先进的加工威廉希尔官方网站 实现极低的单位硅面积导通电阻，结合坚固的器件设计，提供高效率和高可靠性。

应用信息：适用于电池和负载管理，便携式电子设备和 PCMCIA 卡等空间受限的应用。

封装信息：TSSOP-8 封装，比标准 SO-8 封装面积小 45%，低高度小于 1.2mm。