IPN65R1K5CE

物料型号：IPN65R1K5CE

器件简介： - 650V CoolMOSTM CE Power Transistor，由Infineon Technologies生产，采用CoolMOS TM威廉希尔官方网站 ，这是一种为高电压功率MOSFET设计的革命性威廉希尔官方网站 ，基于超结（SJ）原理。 - CoolMOSTM CE是一个性价比优化的平台，旨在满足消费和照明市场的成本敏感应用，同时仍满足最高的效率标准。

引脚分配： - Drain Pin 2（漏极引脚2） - Gate Pin 1（栅极引脚1） - Source Pin 3（源极引脚3）

参数特性： - 极低的损耗，由于非常低的FOM RdsonQg和Eoss - 非常高的换向鲁棒性 - 易于使用/驱动 - 无铅镀层，无卤素模具化合物 - 适用于标准等级应用

功能详解： - 适用于适配器、充电器和照明应用。对于并联MOSFET，通常推荐在栅极上使用铁氧体珠或分开的图腾柱。

应用信息： - 该器件适用于需要快速开关的高效率应用，如适配器、充电器和照明。

封装信息： - PG-SOT223封装，标记为65S1K5。

电气特性： - 包括最大额定值、热特性、静态特性、动态特性、门极电荷特性、反向二极管特性等详细参数。