EPC9035

### 物料型号 - EPC9035: 100V半桥开发板，使用EPC2022增强型（eGaN®）场效应晶体管。

### 器件简介 - EPC2022: 增强型氮化镓（eGaN®）场效应晶体管，具有100V最大器件电压和30A最大输出电流。

### 引脚分配 - VDD: 栅极驱动输入电源范围7V至12V。

- VIN: 总线输入电压范围，最高可达80V。

- VOUT: 输出电压。

- PWM1: 输入PWM控制信号。

### 参数特性 - VDD: 7V至12V。

- VIN: 取决于感性负载，最大开关节点电压必须保持在100V以下。

- LOUT: 开关节点输出电流，最大30A。

- VPwM: PWM逻辑输入电压阈值，高电平3.5V，低电平0V。

### 功能详解 - Buck/Boost配置: EPC9035开发板可以配置为Buck或Boost转换器。

- 热考虑: 开发板适用于低温环境和对流冷却条件下的台式评估。

- 测量考虑: 测量高频开关节点时需要提供准确的高速测量。

### 应用信息 - EPC9035开发板: 旨在简化EPC2022 eGaN FET的评估过程，通过将所有关键组件集成在单个板上，可以轻松地连接到大多数现有的转换器拓扑中。

### 封装信息 - EPC2022: 使用Texas Instruments LMG1205栅极驱动器，开发板尺寸为2英寸x 2英寸。

- 可选组件: 包括电感器、二极管、电位器、电阻器等，具体型号和制造商信息在物料清单中提供。

更多详细信息请参考EPC官网或联系EPC销售代表。