2N5680

1. 物料型号： - 2N5679、2N5681、2N5680、2N5682

2. 器件简介： - 这些是PNP/NPN型高电压硅晶体管，具有高电压和高电流特性，适用于一般用途。

3. 引脚分配： - 1. EMITTER（发射极） - 2. BASE（基极） - 3. COLLECTOR（集电极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 集电极-发射极电压（VCEO）：2N5679/2N5681为100V，2N5680/2N5682为120V - 集电极-基极电压（VCBO）：2N5679/2N5681为100V，2N5680/2N5682为120V - 发射极-基极电压（VEBO）：4.0V - 集电极连续电流（IC）：1.0A - 基极电流（IB）：0.5A - 功率耗散@Ta=25°C（PD）：1.0W（2N5679/2N5681），10W（2N5680/2N5682） - 存储和工作结温范围（Tj, Tstg）：-65°C至+200°C - 热阻（Rth）：结到壳（j-c）17.5°C/W（2N5679/2N5681），结到环境（j-a）175°C/W

5. 功能详解和应用信息： - 这些晶体管具有高电压和高电流增益特性，适用于需要高电压和高电流驱动的应用场合，如电源管理、电机控制等。

6. 封装信息： - TO-39金属封装，具体尺寸如下： - A: 8.50mm至9.39mm - B: 7.74mm至8.50mm - C: 6.09mm至6.60mm - D: 0.40mm至0.53mm - E: 至0.88mm - F: 2.41mm至2.66mm - G: 4.82mm至5.33mm - H: 0.71mm至0.86mm - J: 0.73mm至1.02mm - K: 12.70mm - L: 42度至48度