物料型号:PA241
器件简介:
- PA241是一款高电压单片MOSFET运算放大器,具有之前仅在混合设计中发现的性能特点,同时提高了可靠性。
- 该器件符合RoHS标准,采用单片MOS威廉希尔官方网站
,成本低,可进行高达350V的高电压操作。
- 典型静态电流为2.2mA,没有二次击穿,峰值输出电流可达120mA。
引脚分配:
- PA241有多种封装形式,包括8引脚的TO-3封装(PA241CE)、24引脚的PSOP封装(PA241DF)和10引脚的SIP封装(PA241DW)。
- 引脚功能包括输入(+IN、-IN)、输出(OUT)、电源(+VS、-VS)和补偿(COMP)等。
参数特性:
- 供电电压:+Vs到-VS为350V。
- 输出电流:连续60mA,峰值120mA。
- 功耗:在25°C时连续12W(PA241CE和PA241DF),9W(PA241DW)。
- 输入电压:差分±16V,共模±Vs。
- 温度范围:存储温度-65至+150°C,工作温度-40至+125°C。
功能详解:
- PA241设计用于桥式驱动压电传感器,提供低成本660V峰峰驱动能力。
- 外部补偿提供用户在选择应用的最佳增益和带宽时的灵活性。
- 该器件的SOA(安全工作区)没有二次击穿限制,并且可以通过选择合适的电流限制电阻与所有类型的负载一起观察。
应用信息:
- 应用领域包括压电电动位置控制、静电传感器和偏转、可变形镜聚焦、生物化学刺激器、计算机到真空管接口等。
封装信息:
- PA241CE采用8引脚TO-3封装,金属外壳与电源电压隔离。
- PA241DF采用24引脚PSOP封装,金属热沉与电源电压隔离。
- PA241DW采用10引脚SIP封装,氧化铝陶瓷将芯片与电源电压隔离。