BS640HE9V

### 物料型号 - Am29BDS128H/Am29BDS640H：128Mbit或64Mbit的CMOS 1.8伏特仅同时读写、突发模式闪存。

### 器件简介 - 该闪存器件使用单一1.8伏特供电，用于读、编程和擦除操作。 - 采用0.13微米工艺威廉希尔官方网站 制造。 - 具备VersatileIO™特性，能够根据V$v_{10}$引脚上的电压生成数据输出电压，并容忍数据输入电压。 - 支持同时读写操作，数据可以从一个存储块连续读取，同时在另一个存储块执行擦除/编程功能。 - 四存储块架构：读写操作之间零延迟。

### 引脚分配 - Amax-A0：地址输入。 - DQ15-DQ0：数据输入/输出。 - CE#：芯片使能输入。 - OE#：输出使能输入。 - WE#：写使能输入。 - $v_{CC}$：器件电源供应（1.65 – 1.95 V）。 - V$v_{10}$：输入/输出缓冲电源供应（1.65 – 1.95 V）。 - VSS：地。 - RDY：就绪输出；在同步模式下，表示突发读取的状态。 - CLK：时钟输入。 - RESET#：硬件复位输入。 - WP#：写保护输入。

### 参数特性 - 读访问时间：75/66/54 MHz下分别为9.3/11/13.5纳秒。 - 突发模式读取：10 mA。 - 同时操作：25 mA。 - 编程/擦除：15 mA。 - 待机模式：0.2 µA。

### 功能详解 - 支持Common Flash Memory Interface (CFI)。 - 软件命令集兼容JEDEC 42.4标准。 - 支持Erase Suspend/Resume功能，允许在擦除操作期间读取数据或编程数据到未被擦除的存储块。 - 支持Unlock Bypass Program命令，减少编程时间。

### 应用信息 - 适用于需要快速读写操作的应用，如工业控制、汽车电子等。