VBsemi FDN361BN-NL-VB 参数：
- 封装：SOT23
- 类型：N-通道MOSFET
- 漏极-源极电压（Vds）：30V
- 连续漏极电流（Id）：6.5A
- 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS=10V、VGS=20V时为30mΩ
- 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V
应用概述：
VBsemi FDN361BN-NL-VB 是一款SOT23封装的N-通道MOSFET，适用于多种应用。以下是其参数和应用的简要概述：
1. **封装和类型：**
- SOT23封装，适用于有空间限制的设计。
- N-通道MOSFET，适用于控制负电信号。
2. **电气特性：**
- **电压额定值：**
- 漏极-源极电压（Vds）：30V，适用于中等电压应用。
- **电流额定值：**
- 连续漏极电流（Id）：6.5A，可处理中等到较高电流负载。
- **导通电阻：**
- RDS(ON)：在VGS=10V、VGS=20V时为30mΩ，表明具有低电阻以实现高效导通。
3. **阈值电压：**
- 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V，指定MOSFET开始导通的栅极电压范围。
应用：
FDN361BN-NL-VB MOSFET 可以在各种电子应用中使用，包括：
1. **电源管理：**
- DC-DC 变换器。
- 电池充放电管理。
2. **电机驱动：**
- 小型电机控制电路。
- 电机驱动器和逆变器。
3. **LED 驱动器：**
- LED 照明应用。
- LED 显示屏驱动器。
4. **电源开关：**
- 电源开关和保护电路。
- 逆变器和变频器。
5. **便携设备：**
- 紧凑且便携的电子设备。
- 移动电话、平板电脑和其他电池供电的小工具。
通过充分利用其SOT23封装和N-通道特性，FDN361BN-NL-VB 适用于需要高效能源管理和负载控制的广泛应用。
