--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### FDN358P-NL-VB
**详细参数说明:**
1. 产品型号:FDN358P-NL-VB
2. 封装类型:SOT23
3. 沟道类型:P—Channel
4. 额定电压:-30V
5. 额定电流:-5.6A
6. 导通电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
7. 阈值电压:Vth=-1V
**应用简介:**
FDN358P-NL-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管,以其低导通电阻和适用于负载开关等特性而受到青睐。
**领域和模块应用:**
1. **负载开关:** 适用于需要高性能负载开关的电路,确保电路稳定和高效。
2. **电源管理:** 在电源管理模块中发挥作用,特别是在需要P—Channel MOSFET的低功耗设备中,如电源开关和断路器。
请注意,以上仅为示例,具体的应用和模块选择可能根据具体设计需求和电路要求而变化。建议在使用前查阅产品手册和规格书以确保正确的应用和操作。
为你推荐
-
AP2764AI-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:18
产品型号:AP2764AI-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2764AI-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:17
产品型号:AP2764AI-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2764AI-A-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:16
产品型号:AP2764AI-A-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2763W-A-VB一款Single-N沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:15
产品型号:AP2763W-A-VB 封装:TO3P 沟道:Single-N -
AP2762I-H-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:13
产品型号:AP2762I-H-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2762I-A-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:12
产品型号:AP2762I-A-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2761I-H-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:10
产品型号:AP2761I-H-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2761I-H-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:09
产品型号:AP2761I-H-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2761I-A-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:08
产品型号:AP2761I-A-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP2761F-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 14:07
产品型号:AP2761F-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N