--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号:DTM4407-VB
丝印:VBA2311
品牌:VBsemi
参数:
- P-Channel沟道
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-11A
- RDS(ON):10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-1.42V
封装:SOP8
应用简介:
DTM4407-VB是一款高性能P-Channel沟道功率场效应管,具有-30V额定电压、-11A额定电流和低RDS(ON)。其设计旨在满足对高效率和可靠性的功率管理需求。
适用领域和示例模块:
1. **电源逆变器**:DTM4407-VB适用于太阳能逆变器和其他电源逆变器,确保高效的能量转换和稳定的输出。
2. **电动汽车电源系统**:在电动汽车的电源系统中,可用于电池管理和电源控制,提供高效能的电能转换。
3. **直流-直流(DC-DC)转换器**:在需要高效率和紧凑尺寸的DC-DC转换器中,DTM4407-VB可提供优异的性能。
DTM4407-VB的特性使其在多个领域中都能提供卓越的功率管理解决方案,确保系统的高效性和可靠性。
为你推荐
-
AP9T18J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:11
产品型号:AP9T18J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:10
产品型号:AP9T18GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:09
产品型号:AP9T18GEH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:08
产品型号:AP9T16J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:06
产品型号:AP9T16H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:05
产品型号:AP9T16GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:04
产品型号:AP9T16AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:03
产品型号:AP9T15J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:01
产品型号:AP9T15H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:00
产品型号:AP9T15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N