**CES2313A-VB 详细规格:**
- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：P-Channel
- 漏极-源极电压（VDS）：-30V
- 漏极电流（ID）：-5.6A
- 开态电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-1V
**应用简介:**
这款SOT23封装的P-Channel MOSFET（CES2313A-VB）适用于各种应用，包括但不限于：
1. **电源管理模块：**
- 由于其P-Channel性质和低开态电阻，非常适合电源管理模块，其中高效的开关和控制至关重要。
2. **电池保护电路：**
- 该MOSFET可用于电池保护电路，可靠地控制充电和放电过程。
3. **电压调节模块：**
- 由于其特性，适用于电压调节模块，有助于稳定和高效的电压控制。
4. **便携式电子设备：**
- 考虑到SOT23封装的紧凑尺寸，这款MOSFET适用于各种便携式电子设备，其中空间是关键因素。
5. **汽车电子：**
- 在汽车电子中的应用，例如在车辆系统内的控制模块或电压调节中。
**注意：** 请始终参考制造商提供的数据表和应用注释，以获取准确的详细信息和使用指南。
