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QPD0005M RF JFET晶体管

型号: QPD0005M RF JFET晶体管

--- 产品参数 ---

  • 工作温度 85

--- 产品详情 ---

Qorvo QPD0005M RF JFET晶体管
Qorvo QPD0005M RF JFET晶体管是单路径分立式GaN on SiC HEMT,采用塑料包覆成型DFN封装。该系列晶体管的工作频率范围为2.5GHz至5.0GHz。该系列器件是单级、不匹配晶体管,能够在+48V电压下提供5.9W PSAT。
QPD0005M RF JFET晶体管 特性
工作频率范围:2.5-5.0GHz
工作漏极电压:+48V
3.6GHz时的最大输出功率 (PSAT):37.7dBm
3.6GHz时的最大漏极效率:74.1%
3.6GHz时的效率-调谐P3dB增益:18.6dB
4.5mm x 4.0mm DFN封装
QPD0005M RF JFET晶体管 应用
WCDMA/LTE
宏蜂窝基站
微蜂窝基站
小型蜂窝
有源天线
5G大规模MIMO
通用型应用

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