Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET
UnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列产品，提供业界最佳的性能品质因数，可在更高速度的情况下降低导通损耗和增加效率，同时提高整体成本效益。Gen 4系列有5.4mΩ至60mΩ可选，基于独特的共源共栅配置，其中高性能SiC JFET与共源共栅极优化的Si-MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。UJ4C/SC 750V FET的标准栅极驱动特性可实现“插入式更换”功能。通过用UnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC FET取代现有的Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超级结器件，设计者可以在不需要改变栅极驱动电压的情况下显著提高系统性能。
UnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET采用三引线TO247-3L封装、具有开尔文栅极连接的四引线TO-247-4封装或MO-229封装。TO-247-4封装的开尔文源极设计显著降低了开关损耗和栅极振铃。MO-229封装可实现更快的开关和更干净的栅极波形。
特性
750V VDS额定值
5.4mΩ至60mΩ的低RDS（on）
关键的优异性能使下一代高性能电源设计成为可能
同类最佳RDS（on） x区域
在给定的RDS（on）下改善Qrr和Eon/Eoff损耗
减少Coss(er)/Eoss 和Coss(tr)
6mΩ时短路耐受时间为5µs
可用标准的0V至12V或15V栅极驱动电压安全驱动
真正的5V阈值电压可保持出色的阈值噪声容限
适用于所有Si IGBT、Si FET和SiC FET驱动电压
优秀的反向恢复
出色的体二极管性能（Vf<2V）
低栅极电荷
ESD保护，HBM 2级
TO247-3L、TO247-4L（Kelvin）和MO-229封装
符合AEC-Q101标准
应用
牵引逆变器
DC-DC转换器
光伏逆变器
Ev电池充电
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动器
感应加热
IT基础设施
固态继电器和断路器（仅限-L8S型号）
AC/DC前端中的线路整流和有源桥式整流电路（仅限-L8S型号）
