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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRF530PBF-VB一款N沟道TO220封装MOSFET应用分析

型号: IRF530PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO220封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**IRF530PBF-VB 详细参数说明和应用简介:**

**参数说明:**
- 封装:TO220
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压(VDS):100V
- 额定电流(ID):18A
- RDS(ON):127mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门源电压阈值(Vth):2~4V

**应用简介:**
IRF530PBF-VB是一款TO220封装的N-Channel MOSFET,适用于多种电源和开关应用。其低导通电阻、高电流容载能力,使其在功率放大、开关电源和电机控制等领域得到广泛应用。

**主要应用领域模块:**
1. **功率放大器模块:** 由于其高电流和低导通电阻,IRF530PBF-VB常用于音频功率放大器模块,提供强大的输出能力。

2. **开关电源模块:** 在开关电源中,IRF530PBF-VB可以用作开关管,帮助有效地控制电源输出,提高系统的能效。

3. **电机控制模块:** 在直流电机驱动中,IRF530PBF-VB可用于电机控制模块,帮助实现精确的电机速度和方向控制。

**作用:**
- 提供高电流承受能力,适用于需要大功率输出的场景。
- 降低导通电阻,减小功耗,提高系统效率。
- 在开关电源中,可靠地控制电源输出。

**使用注意事项:**
1. **电压注意事项:** 确保在规定的电压范围内操作,不要超过最大额定电压(100V)。
2. **电流限制:** 不要超过最大允许电流(18A)以避免过热和损坏。
3. **静电防护:** 在操作过程中采取静电防护措施,以免损坏敏感的MOSFET器件。
4. **散热:** 在高功率应用中,确保提供足够的散热,以保持器件在正常工作温度范围内。
5. **门源电压:** 注意门源电压(Vth)的适用范围,确保在规定范围内正常工作。

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