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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRF644SPBF-VB一款N沟道TO263封装MOSFET应用分析

型号: IRF644SPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO263封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品型号:** IRF644SPBF-VB

**丝印:** VBL1252M

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:TO263
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:250V
- 额定电流:16A
- 导通电阻:RDS(ON)=230mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=2V

**应用简介:**
适用于多个领域模块,发挥以下作用:
1. **电源逆变器:** 在逆变器模块中,作为N-Channel功率开关,支持电源逆变应用。
2. **电机控制:** 在电机驱动模块中,通过高电流和低导通电阻,实现精确的电机控制。
3. **电力电子:** 在电力电子领域中,可用于各种电力控制和转换应用。

**使用注意事项:**
1. 请确保操作在额定电压和电流范围内,避免超过规定数值。
2. TO263封装需要考虑适当的散热和布局设计,以维持正常工作温度。
3. 在设计中考虑阈值电压Vth=2V,确保适当的信号电平。
4. 根据具体应用场景采取适当的保护机制,以应对潜在的过电流和过压情况。

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