--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**详细参数说明:**
- 产品型号: IPD042P03L3-G-VB
- 丝印: VBE2309
- 品牌: VBsemi
- 封装: TO252
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -60A
- 开启电阻: RDS(ON) = 9mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.71V
**应用简介:**
该器件适用于各种模块,特别是需要P—Channel沟道的应用。具体应用包括但不限于电源管理、电机驱动和功率放大器。
**主要应用领域模块:**
1. 电源管理模块
2. 电机驱动模块
3. 功率放大器模块
**作用:**
- 电源管理模块:提供可靠的功率开关控制。
- 电机驱动模块:控制电机的功率和速度。
- 功率放大器模块:实现高效的功率放大。
**使用注意事项:**
1. 请确保在规定的电压范围内操作。
2. 避免超过最大电流限制。
3. 在设计中考虑散热,以确保器件正常工作温度。
4. 遵循厂商提供的应用电路设计建议。
5. 注意防静电措施,以防止损坏器件。
为你推荐
-
AP9998GS-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:37
产品型号:AP9998GS-HF-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP9998GI-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:36
产品型号:AP9998GI-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP9998GH-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:35
产品型号:AP9998GH-HF-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP9997GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:34
产品型号:AP9997GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP9997GM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:33
产品型号:AP9997GM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9997GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:31
产品型号:AP9997GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9997GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:30
产品型号:AP9997GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9997GH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:27
产品型号:AP9997GH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9997BGJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:26
产品型号:AP9997BGJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9997BGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 14:25
产品型号:AP9997BGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N