--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT223封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
参数说明:
- 丝印: VBJ2201K
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT223
- 类型: P—Channel 沟道
- 额定电压: -200V
- 额定电流: -0.4A
- 导通电阻: RDS(ON) = 1400mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.5V
应用简介:
BSP317P-VB适用于SOT223封装,是一款P-Channel沟道MOSFET。主要应用在需要负载开关的电路中,能够在低电压下实现高效的电源管理。
领域模块:
1. 电源管理模块
2. DC-DC转换器
3. 电池管理模块
作用:
在上述模块中,BSP317P-VB可用于负载开关,帮助实现高效的电能转换和管理。
使用注意事项:
1. 请确保电压和电流不超过组件的额定值。
2. 正确连接极性,避免损坏组件。
3. 避免超过阈值电压,以免影响性能。
4. 在设计中考虑散热,确保在正常工作温度范围内。
5. 遵循制造商提供的其他建议和规范。
为你推荐
-
AP40T10GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:30
产品型号:AP40T10GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T10GH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:28
产品型号:AP40T10GH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T03H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:27
产品型号:AP40T03H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T03GS-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:26
产品型号:AP40T03GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP40T03GS-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:25
产品型号:AP40T03GS-HF-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP40T03GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:23
产品型号:AP40T03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP40T03GP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:22
产品型号:AP40T03GP-HF-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP40P03GP-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:20
产品型号:AP40P03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-P -
AP40P03GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:18
产品型号:AP40P03GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP40P03GI-VB一款Single-P沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:17
产品型号:AP40P03GI-VB 封装:TO220F 沟道:Single-P