--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO220封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:STP120N4F6-VB
丝印:VBM1405
品牌:VBsemi
**参数:**
- 封装:TO220
- 沟道类型:N—Channel
- 最大电压:40V
- 最大电流:110A
- 开启电阻(RDS(ON)):6mΩ @ VGS=10V, 6mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth):2V
**应用简介:**
STP120N4F6-VB是一款TO220封装的N—Channel沟道MOSFET,具有高电流和低开启电阻的特性,适用于高功率应用。以下是它可能用在的一些领域模块:
1. **电源模块:** 由于STP120N4F6-VB的高电流和电压能力,适用于构建高功率电源开关模块,提供高效且稳定的电源输出。
2. **电机驱动:** 可用于电机控制模块,例如电动汽车、电动工具等,提供可靠的电机驱动。
3. **电源逆变器:** 在高功率逆变器中,可以用于构建大功率逆变器电路,实现电能的高效转换。
4. **电源开关和逆变器:** 适用于构建各种电源开关和逆变器,用于电能的高效转换。
5. **工业控制系统:** 由于其高电流和电压能力,可能用于工业控制系统中的开关电源和电机控制。
请注意,在使用这种器件时,确保参考其数据手册以获取详细的电性能和工作条件。不同的应用领域可能需要特定的设计和电路配置。
为你推荐
-
AP9960GM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:27
产品型号:AP9960GM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960GM-HF-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:25
产品型号:AP9960GM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:23
产品型号:AP9960GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9960GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:22
产品型号:AP9960GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9960GD-VB一款Dual-N沟道DIP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:21
产品型号:AP9960GD-VB 封装:DIP8 沟道:Dual-N -
AP9960AGM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:20
产品型号:AP9960AGM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960AGM-HF-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:19
产品型号:AP9960AGM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9950GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:15
产品型号:AP9950GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP9950AGP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:14
产品型号:AP9950AGP-HF-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP9950AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:12
产品型号:AP9950AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N