型号: NDT2955-VB
丝印: VBJ2658
品牌: VBsemi
参数:
- 封装类型: SOT223
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压: -60V
- 最大电流: -6.5A
- 开态电阻: RDS(ON) = 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1~-3V
封装: SOT223
**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** SOT223，表明该器件使用SOT223封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** P-Channel，指示这是一个P沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** -60V，说明器件能够正常工作的最大负电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** -6.5A，表示器件能够承受的最大电流，负号表示电流方向为从漏极到源极。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = -1~-3V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的最小电压范围。
**应用简介:**
NDT2955-VB是一款P-Channel MOSFET，适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. **电源开关:** 由于其P沟道性质，可用于电源开关、电池保护等电源管理模块。
2. **电池保护:** 适用于电池管理系统，用于保护电池免受过放电和过充电的影响。
3. **功率逆变器:** 用于构建功率逆变器，例如在太阳能逆变器和电机驱动器中。
4. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行精确控制的应用，例如电源电流调节和电机驱动。
请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。
