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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPD90P04P4L-04-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析

型号: IPD90P04P4L-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 P沟道
  • 封装 TO252封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号:IPD90P04P4L-04-VB
丝印:VBE2406
品牌:VBsemi

参数说明:
- 类型:P沟道
- 额定电压:-40V
- 最大电流:-110A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):4.8mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):-2V
- 封装类型:TO252

应用简介:
IPD90P04P4L-04-VB是一款P沟道功率MOSFET,适用于多种领域模块,具有以下应用潜力:

1. 电源管理模块:这款MOSFET的额定电压和极低的导通电阻使其非常适合电源开关、电源调节和稳压模块,以提供高效的电源管理。

2. 电机驱动:在电机控制和驱动应用中,IPD90P04P4L-04-VB可用作电流控制开关,有助于实现电机的高效控制和运行。

3. 电池保护:该产品的低阈值电压使其成为电池保护模块的理想选择,以确保电池在各种工作条件下安全运行。

4. 电源逆变器:在太阳能逆变器和电源逆变器中,IPD90P04P4L-04-VB可用于高效地转换和管理电能,确保电源系统的可靠性。

综上所述,IPD90P04P4L-04-VB适用于多个领域,包括电源管理、电机驱动、电池保护和电源逆变器等模块。其卓越的性能参数使其成为各种应用中的理想选择。

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