WD4000晶圆几何形貌测量设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描威廉希尔官方网站 ，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。
WD4000晶圆几何形貌测量设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。
1、使用光谱共焦对射威廉希尔官方网站 测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；
2、采用白光干涉测量威廉希尔官方网站 对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；
3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；
4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。
WD4000晶圆几何形貌测量设备可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等，提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。
测量功能
1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。
3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。
4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。
应用场景
1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量
通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。
2、无图晶圆粗糙度测量
Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。
部分威廉希尔官方网站 规格
| 品牌 | CHOTEST中图仪器 |
| 型号 | ED4000 |
厚度和翘曲度测量系统 | |
可测材料 | 砷化镓 ;氮化镓 ;磷化 镓;锗;磷化铟;铌酸锂;蓝宝石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
测量范围 | 150μm~2000μm |
扫描方式 | Fullmap面扫、米字、自由多点 |
测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度 |
三维显微形貌测量系统 | |
测量原理 | 白光干涉 |
干涉物镜 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个) |
可测样品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重复性 | 0.005nm |
测量参数 | 显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数 |
膜厚测量系统 | |
测量范围 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可测厚度 | 0.4um |
红外干涉测量系统 | |
光源 | SLED |
测量范围 | 37-1850um |
晶圆尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圆载台 | 防静电镂空真空吸盘载台 |
X/Y/Z工作台行程 | 400mm/400mm/75mm |
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