--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOT23-6封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:IRLMS2002TRPBF-VB
丝印:VB7322
品牌:VBsemi
参数说明:
- N沟道
- 额定电压:30V
- 最大电流:6A
- RDS(ON):30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 门源电压(Vgs)范围:±20V
- 阈值电压(Vth):1.2V
- 封装:SOT23-6
应用简介:
IRLMS2002TRPBF-VB是一款N沟道MOSFET,特别适用于低电压、低功耗应用。它具有低通态电阻、适中的电压额定值和电流承受能力,适合多种应用。
应用领域:
1. **电源管理模块**:IRLMS2002TRPBF-VB可用于电源管理模块,以实现电源开关和电池保护。
2. **移动设备**:在便携式移动设备中,如智能手机和平板电脑,它可用于电池管理和电源开关。
3. **电池充电**:可用于电池充电电路,控制电池充电和放电。
4. **LED驱动**:在LED照明应用中,它可以用于LED驱动电路,控制LED亮度和颜色。
总之,IRLMS2002TRPBF-VB适用于低电压、低功耗的多种应用,包括电源管理、移动设备、电池充电和LED驱动等领域。
为你推荐
-
AP9960GM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:27
产品型号:AP9960GM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960GM-HF-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:25
产品型号:AP9960GM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:23
产品型号:AP9960GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9960GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:22
产品型号:AP9960GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9960GD-VB一款Dual-N沟道DIP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:21
产品型号:AP9960GD-VB 封装:DIP8 沟道:Dual-N -
AP9960AGM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:20
产品型号:AP9960AGM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9960AGM-HF-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:19
产品型号:AP9960AGM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
AP9950GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:15
产品型号:AP9950GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP9950AGP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:14
产品型号:AP9950AGP-HF-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP9950AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-26 15:12
产品型号:AP9950AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N