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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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FHX13X 是一款超高电子迁移率 晶体管

GaAs HEMT 晶体管 芯片
型号： FHX13X

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 FHX13X
  • 名称 砷化镓HEMT
  • 产地 日本
  • 封装 Chip

--- 产品详情 ---

FHX13X

型号简介
Sumitomo的FHX13X、FHX14X是超高电子迁移率晶体管（SuperHEMTTM）适用于通用、超低噪音和高2至18GHz频率范围内的增益放大器。设备状况良好适用于电信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪声应用程序。

 

型号规格  
厂家                   Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    FHX13X
名称                    砷化镓HEMT
产地                    日本
封装                    Chip
 

型号参数
低噪声系数：0.45dB（典型值）@f=12GHz（FHX13）
高相关增益：13.0dB（典型值）@f=12GHz
Lg≤0.15um，Wg=200um
实现高可靠性的金门金属化


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