型号 IPD50P04P4L-11-VB
丝印 VBE2412
品牌 VBsemi
详细参数说明
沟道类型 P沟道
最大工作电压 -40V
最大工作电流 -65A
导通电阻 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
阈值电压 -1.6Vth(V)
封装类型 TO252
应用简介
IPD50P04P4L-11-VB适用于各种领域的电子模块，主要用于功率开关应用。由于P沟道MOSFET具有负责电流的优点，因此它们广泛应用于电源管理和开关模块。
此型号产品可用于以下领域模块
1. 电源模块 由于其高电流和低导通电阻特性，适用于高功率电源模块，如电动汽车充电器和电池管理系统。
2. 电机驱动模块 具有高工作电流能力的IPD50P04P4L-11-VB可用于电机驱动模块，如电动机控制器和电机驱动电路。
3. 照明模块 由于其高电流能力和低导通电阻特性，可用于LED照明模块，如LED驱动器和LED灯控制电路。
4. 工业控制模块 适用于工业控制模块，如工业自动化控制系统和工业电源模块。
总之，IPD50P04P4L-11-VB适用于需要高功率开关能力和低导通电阻的电子模块应用，并可广泛应用于电源管理、电机驱动、照明和工业控制等领域。
