产品简介
DIODES 的DGD05473FNQ这是一款能够驱动 N 沟道 MOSFET 的高频栅极驱动器。浮动高侧驱动器的额定电压高达 50V。
DGD05473 逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3V）兼容，可轻松与 MCU 连接。高侧和低侧的 UVLO 可在电源丢失时保护 MOSFET。为了保护 MOSFET，跨导预防逻辑可防止 HO 和 LO 输出同时打开。
快速且匹配良好的传播延迟可实现更高的开关频率，从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的电源开关设计。为了最大限度地减少空间，内置了一个内部自举二极管。DGD05473 采用 U-DFN3030-10 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DGD05473FNQ
名称 高频高侧 低侧栅极 驱动器
产地 台湾
封装 U-DFN3030-10
产品参数
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Offset Voltage Max (V) 50 V
Inputs HIN, LIN, EN
Output Current IO+ (Typ) (mA) 1500 mA
Output Current IO- (Typ) (mA) 2500 mA
tON (Typ) (ns) 20 ns
tOFF (Typ) (ns) 23 ns
tR (Typ) (ns) 16 ns
tF (Typ) (ns) 12 ns
主要特征
50V 浮动高侧驱动器
以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET
1.5A 拉电流/2.5A 灌电流输出能力
包含内部自举二极管 •
用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定
延迟匹配最大值为 5ns
传播延迟典型值为 20ns
逻辑输入（HIN、LIN 和 EN）3.3V 能力
超低待机电流 (<1μA)
扩展温度范围：-40°C 至 +125°C
完全领先-不含且完全符合 RoHS 标准（注释 1 和 2）
不含卤素和锑。“绿色”器件（注 3）
符合 AEC-Q100 高可靠性标准
支持 PPAP（注 4）
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