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深圳市金和信科技有限公司

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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ,MICRON/美光,动态随机存取存储器

型号: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
品牌: MICRON(镁光)

--- 产品参数 ---

  • 型号 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
  • 品牌 MICRON/美光
  • 封装 FBGA200
  • 年份 2313+
  • 产地 台湾

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ,MICRON/美光,动态随机存取存储器

 

 

16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM(LPDDR4X)是一种高速CMOS动态

随机存取存储器设备。该设备内部配置2通道或1通道×16

I/O,每个通道具有8个组。

一般注意事项 危芯练戏:依叭溜溜寺山寺依武叭武,

在整个数据表中,图形和文本将DQ称为DQ。DQ应解释为任何或全部

DQ统称,除非另有说明。

除非另有说明,否则DQS和CK应分别解释为DQS_t、DQS_c和CK_t、CK_c。

CA包括用于给定密度的所有CA引脚。

在时序图中,CMD仅用作指示器。实际信号出现在CA[5:0]上。

VREF表示VREFCA和VREFDQ。

完整的功能可以在整个文档中进行描述。任何页面或图表都可以

已经被简化以传达一个主题,并且可能不包括所有要求。

任何具体要求优先于一般声明。

此处未明确说明的任何功能均被视为未定义、非法、不受支持,并将

导致未知操作。

有关单端CK和DQS的功能或规格,请参阅LPDDR4X单端CK

DQS附录

特点

本数据表适用于LPDDR4X和LPDDR4的统一

基于LPDDR4X信息的产品。至于

LPDDR4设置,请参阅通用LPDDR4规范

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