ZXMN6A08G N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 ZXMN6A08G这款新一代沟槽 MOSFET 具有独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMN6A08G
名称                    N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    SOT223

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.8 nC
CISS Typ (pF) 459 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V

主要特征
低导通电阻
快速切换速度
低阈值
低门驱动器

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