DMN31D5UDJ 双N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

 产品简介
DIODES 的 DMN31D5UDJ 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选，用于高效电源管理应用。

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMN31D5UDJ
名称                双N 沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                SOT963

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.22 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 3000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.38 nC
CISS Typ (pF) 22.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

主要特征
低导通电阻
极低栅极阈值电压，最大值 1.0V
低输入电容
开关速度快
超小型表面贴装封装 1mm x 1mm
ESD保护栅极

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